半導体レーザー

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250715
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106694
出願日： 1993年10月06日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基本横モード発振が得られるとともに、電気的、熱的に信頼性の高いリッジストライプ型半導体レーザの構造を提供する。【構成】リッジストライプに複数の幅広部W1,W3を設けるとともに、共振器面は幅広部となるように設計する。【効果】幅広部を設けることにより接触信頼性が確保され、また、共振器面積の増加により光密度を低下させて、熱的信頼性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

両側の半導体層を活性層の直上までエッチングすることにより設けられた凸形状のリッジ部を有し、このリッジ部の両側を半導体層との屈折率差が大きい材料で埋め込まれたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、上記リッジ部にキャビティー方向に沿って複数の幅広部と幅狭部が設けられているとともに、共振器面がリッジ部の幅広部に設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

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