特許
J-GLOBAL ID：200903065191460359
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095306
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219951
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 温度の変化や水分含有率の変化に起因する応力によって亀裂が生じ易い膜を形成しても、この膜に亀裂が生じにくくて、信頼性の高い半導体装置を製造する。【解決手段】 形成温度から室温に降下させたときに引張り応力を生じるオゾンTEOS膜14を形成温度に維持したまま、形成温度から室温に降下させたときに圧縮応力を生じるプラズマTEOS膜15をオゾンTEOS膜14上に形成する。プラズマTEOS膜15を形成するまでは、オゾンTEOS膜14に引張り応力が生じにくく、プラズマTEOS膜15を形成した後は、室温まで降下させてもオゾンTEOS膜14の引張り応力とプラズマTEOS膜15の圧縮応力とが相殺される。
請求項（抜粋）：
室温よりも高い温度から室温に降下させたときに応力を生じる第1の膜を室温よりも高い温度で形成する工程と、前記第1の膜の温度を室温よりも高い温度に維持したまま、室温よりも高い温度から室温に降下させたときに前記応力を吸収する第2の膜を室温よりも高い温度で前記第1の膜上に形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 M
, H01L 21/31 C
