特許

J-GLOBAL ID：200903065193254829

複合機能素子

発明者： 中村 和敬 ,  後 外茂昭 ,  森井 博史
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331663
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192905
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体磁器と磁性体磁器を接合して、それぞれの電気特性を損なうことなく、電磁ノイズ対策が可能な複合機能素子を提供することにある。【構成】 バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁性材料からなる磁性体磁器を接合し、一体焼結して得られる複合機能素子において、前記半導体磁器部と前記磁性体磁器部の接合部付近で前記半導体磁器部側に金属層を1層以上設けた複合機能素子であり、その金属層はPt、Pd、Agの単体かあるいはPt、Pd、Agの合金である。

請求項（抜粋）：

バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁性材料からなる磁性体磁器を接合し、一体焼結して得られる複合機能素子において、前記半導体磁器部と前記磁性体磁器部の接合部付近で前記半導体磁器部側に金属層を1層以上設けたことを特徴とする複合機能素子。

IPC (3件)：

H01C 7/10 ,  H01F 27/00 ,  H01F 1/34

FI (2件)：

H01F 15/00 D ,  H01F 1/34 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-158702
  
• 特開平4-257110