特許
J-GLOBAL ID：200903065193663168
電力変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142869
公開番号（公開出願番号）：特開平10-337046
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体素子の高周波動作を活かすことができ、零電流から定格負荷電流まで安定に駆動する信頼性の高いゲート駆動方式を有する電力変換装置を提供する。【解決手段】 本発明は、直流電源1と、直列接続された絶縁ゲート型半導体素子11〜14とそれぞれの素子11〜14に逆並列に接続されたダイオード11a〜14aとからなる各アーム毎に設けられた変流器21〜24の出力レベルを判別するレベル判別回路31の出力信号により、デッドタイム制御回路33で設定するデッドタイムを切替えるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体素子とこの半導体素子に逆並列接続されたダイオードとを複数直列接続された直列体と、この直列体を複数組接続された直流電源と、前記半導体素子を直列に接続した接続点から交流電力を得るように構成された電力変換装置において、前記半導体素子毎に設けられ、前記半導体素子に流れる電流を検出する素子電流検出器と、この素子電流検出器の検出電流が所定値以上の場合には、当該素子電流検出器が設けられた前記半導体素子がターンオフ後、この素子電流検出器が設けられた半導体素子と対となる半導体素子ヘオンゲート信号を供給するまでのデッドタイムを短く、前記素子電流検出器の検出電流が所定値以下の場合には、前記素子電流検出器が設けられた半導体素子がターンオフ後、前記対となる半導体素子へオンゲート信号を供給するまでのデッドタイムを長くするように制御する制御手段とを具備したことを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 7/5387 Z
, H02M 7/48 E
