特許

J-GLOBAL ID：200903065196823280

半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

発明者： 根津 広樹 ,  平沢 茂樹 ,  大橋 直史 ,  大和田 伸郎 ,  丸山 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-117031
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316311
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 スピンオングラス膜を用いた層間絶縁膜の平坦化プロセスにおいて、ウエハレベルでのグローバルな平坦化を実現する。【構成】 配線を形成した半導体基板上にスピンオングラス膜を回転塗布した後、前記スピンオングラス膜をベークして緻密化する工程に先だち、前記スピンオングラス膜中の溶媒の揮発速度を遅くすることにより、配線上と配線間スペース領域とにおけるスピンオングラス膜表面の高低差を低減する。

請求項（抜粋）：

配線を形成した半導体基板上に第1の絶縁膜を堆積した後、前記第1の絶縁膜上にスピンオングラス膜を回転塗布し、次いで、前記スピンオングラス膜をベークして緻密化した後、前記スピンオングラス膜をエッチバックしてその表面を平坦化し、さらに前記スピンオングラス膜上に第2の絶縁膜を堆積する工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第1の絶縁膜上にスピンオングラス膜を回転塗布する工程と、前記スピンオングラス膜をベークして緻密化する工程との間に、前記スピンオングラス膜中の溶媒の揮発速度を遅くするように制御する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  B05C 11/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 Q ,  B05C 11/08 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/30 564 C