特許

J-GLOBAL ID：200903065201123151

半導体圧力センサ

発明者： 庄司 康則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301991
公開番号（公開出願番号）：特開2001-124645
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】ピエゾ抵抗とダイアフラムを組み合わせた構造をもつ半導体圧力センサで、1チップで差圧、静圧の他に脈動圧が測定できる圧力センサを提供すること。【解決手段】ダイアフラムのダイアフラムの下面中間層に絞り機構をもつ導入口を形成し、この導入口を介してダイアフラム上面の圧力を平滑した圧力がかかる構造とする。【効果】上記構造を用いると、ダイアフラム上面と下面との間に、脈動圧だけの圧力差が発生する。この脈動圧測定用のダイアフラムの他に、差圧測定用、静圧測定用のダイアフラムを形成することで、1チップのセンサで多様な圧力測定が可能となる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板の一方の面上に、凹部を有する中間層と、この凹部を覆うように上記単結晶シリコン基板の一方の面側に配置され、少なくとも1個のピエゾ抵抗が形成された単結晶シリコン膜とを有し、上記単結晶シリコン膜を圧力に応じて変位するダイアフラムとする半導体圧力センサにおいて、上記ダイアフラムと中間層の凹部とにより形成された空間部に中間層の凹部で形成された圧力導入口を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB03 ,  2F055BB05 ,  2F055BB14 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA06 ,  4M112CA09 ,  4M112CA10 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13