特許
J-GLOBAL ID：200903065202363342
テーパエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037072
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】LSIのコンタクトホールにテーパを付与する場合に安定的なプラズマ条件でパーティクルの発生を抑制しつつ簡易な方法で実施する。【構成】レジストパターン3形成後、ポリマーデポジションが生じ易い物質4としてAlをスパッタリング法によって厚さ約100Åを付着させ、Cl2 +BCl3 のガス系で異方性エッチングを行い、側壁以外のAlを除去し、CF4 :CHF3 =1:1とし、デポジット性の弱いプラズマ条件でドライエッチングする。C-F系ポリマーはAl上に選択的にデポジットし、レジストパターンのホール5の直径が順次縮小し、順テーパ形状のコンタクトホール8が形成される。
請求項（抜粋）：
ポリマーデポジションが生じ易い物質をレジストパターンのホールの側壁に付着させた後、ドライエッチングを行い、エッチング中にレジストパターン側壁にデポジションを生じさせ、レジストパターンのホールの直径を縮小させながら、下方が小径のテーパを形成することを特徴とするテーパエッチング方法。
IPC (2件)：
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