特許
J-GLOBAL ID:200903065203315953

スパッタ被覆装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 兼坂 眞 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-139282
公開番号(公開出願番号):特開平5-156436
出願日: 1992年05月29日
公開日(公表日): 1993年06月22日
要約:
【要約】【目的】 スパッタターゲットにおいてプラズマを増大させ、膜の堆積速度を高め且つ汚染される恐れのない真空室を用いたスパッタ被覆装置。【構成】 基体を取り付けてその上において基体を移動させるように真空室中に可動面が設けられている。少くとも1つのマグネトロンスパッタリング装置は、基体ホルダに隣接して、作業部所に配置され、少くとも1種の選定された物質を基体に対してスパッタリングする。少くとも第2の装置は、第1の装置によって形成されたプラズマを増大させるためのプラズマを供与するように、第1の装置に隣接して配置される。
請求項(抜粋):
真空室と、基体を取付け、これらの基体をその上で移動させるようにした、該真空室中の取付け-移動手段と、基体ホルダに近接した作業部所に配置されていた、少くとも1種の選定された物質を該基体にスパッタリングするようにした、少くとも1つのマグネトロンスパッタ装置である第1の装置と、該第1の装置によって形成されたプラズマを増大させるための別のプラズマを供与するために該第1の装置に近接して配置された少くとも1つの第2の装置とを有するスパッタ被覆装置。
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-004967

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