特許
J-GLOBAL ID：200903065205332499
成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077039
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295907
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 低水酸基濃度の層間平坦化絶縁膜を備える半導体装置を得る。【構成】 中層絶縁膜25を、TEOS/O2/H2O/NH3=350/350/10SCCM,1330[Pa],120°C,RF=350Wの条件でプラヅマCVDにより形成する。無機塩基を添加したことにより、有機Si化合物の脱水縮合反応を円滑に進行させて、低水酸基濃度の平坦な層間絶縁膜の形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
原料ガスと反応触媒ガスとを反応室に導入して膜を化学気相成長法で形成する成膜方法において、該原料ガスのうち少なくとも1種類のガスを、該反応触媒ガスのガス供給口とは別のガス供給口から該反応室に導入することを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/90
