特許

J-GLOBAL ID：200903065206454741

多層配線の製造方法

発明者： 田中 宏昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099071
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293546
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレージの良好な多層配線の接続技術を提供する。【構成】 第1の配線層14を堆積する工程と、この第1の配線層14の上にコンタクト配線層を堆積する工程と、第1の配線層14とコンタクト配線層とを同時にエッチングして第1の配線層14のパターン形成をする工程と、コンタクト配線層をエッチングして第1の配線層14と第2の配線層16とを電気的に接続するコンタクト部13を形成する工程と、第1の配線層14がパターン形成されてコンタクト部13が形成された基板に層間絶縁膜11を堆積する工程と、コンタクト部13の先端面が層間絶縁膜11と実質的に同一平面上になるように層間絶縁膜11を平坦化する工程と、層間絶縁膜11の上に第2の配線層16を堆積する工程とを有するものである。第1の配線層14にはアルミニウムが、コンタクト部13にはタングステンが用いられている。

請求項（抜粋）：

基板に形成された積層構造にある基板側配線層と表層側配線層とを電気的に接続する多層配線の製造方法であって、前記基板側配線層を堆積する工程と、前記基板側配線層の上にコンタクト配線層を堆積する工程と、前記基板側配線層と前記コンタクト配線層とを同時にエッチングして前記基板側配線層のパターン形成をする工程と、前記コンタクト配線層をエッチングして前記基板側配線層と前記表層側配線層とを電気的に接続するコンタクト部を形成する工程と、前記基板側配線層がパターン形成されて前記コンタクト部が形成された前記基板に絶縁層を堆積する工程と、前記コンタクト部の先端面が前記絶縁層と実質的に同一平面上になるように前記絶縁層を平坦化する工程と、前記絶縁層の上に表層側配線層を堆積する工程とを有することを特徴とする多層配線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 B