特許
J-GLOBAL ID：200903065208794132
パワーMOSFETを用いたスイッチング回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151402
公開番号（公開出願番号）：特開平5-328747
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】〔目的〕 誘導性負荷のサージ電圧による破壊を有効に防止したパワーMOSFETによるスイッチング回路を提供する。〔構成〕 スイッチング用のパワーMOSFET(S)とプリドライバ(PD)との間にバッファ回路(BF)を設置すると共に、このパワーMOSFETの高圧側端子の電圧をバッファ回路の入力端子に帰還するツェナーダイオード(ZD)などを含む帰還回路を備える。
請求項（抜粋）：
直流電源と誘導性負荷との間に直列接続されるスイッチング用のパワーMOSFETと、このパワーMOSFETのゲート端子に接続されるバッファ回路と、このバッファ回路を介して前記パワーMOSFETのゲート端子にスイッチング用制御信号を供給するプリドライバと、このパワーMOSFETの高圧側端子の電圧を前記バッファ回路の入力端子側に帰還する帰還回路とを備えたことを特徴とするパワーMOSFETを用いたスイッチング回路。
IPC (3件)：
H02M 7/537
, B60L 9/18
, H02M 1/00
