特許

J-GLOBAL ID：200903065209164140

イメージセンサー及びその製造方法

発明者： キム、ソン ヒョン
出願人/特許権者： ドンブ ハイテック カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-232731
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071310
出願日： 2008年09月10日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】下部配線を含む回路が形成された基板に、フォトダイオードが形成された結晶質基板を接合して、ダークの特性を改善して、イメージセンサーの感度を向上させることができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるイメージセンサーの製造方法は、配線及び読出し回路が形成された第1基板100を準備する段階と、前記第1基板100上に、結晶質領域に第1不純物領域71と第2不純物領域72を含んで形成されたフォトダイオード70を形成する段階と、前記フォトダイオード70を貫いて前記配線と繋がり、互いに離隔されて形成された複数の第1コンタクト81及び第2コンタクト82を形成する段階を含み、前記第1コンタクト81は前記第1不純物領域71と接して、前記第2コンタクト82は前記第2不純物領域72と接する。【選択図】図5b

請求項（抜粋）：

配線及び読出し回路が形成された第1基板を準備する段階と、 前記第1基板上に、結晶質領域に第1不純物領域と第2不純物領域を含んで形成されたフォトダイオードを形成する段階と、 前記フォトダイオードを貫いて前記配線と繋がり、互いに離隔されて形成された複数の第1コンタクト及び第2コンタクトを形成する段階を含み、前記第1コンタクトは前記第1不純物領域と接して、前記第2コンタクトは前記第2不純物領域と接することを含むイメージセンサーの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L27/14 E ,  H01L27/14 D

Fターム (14件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CA40 ,  4M118CB01 ,  4M118FA06 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第6927432号
  
• 特許第6927432号