特許

J-GLOBAL ID：200903065209229439

GaAs層の表面安定化方法、GaAs半導体装置の製造方法および半導体層の形成方法

発明者： 白藤 純嗣 ,  杉野 隆 ,  高坂 剛士
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046378
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242096
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 GaAs表面の酸化膜を除去すると共に、除去後の表面に酸化膜が形成されることを防止する表面処置方法を利用し、GaAs層の表面安定化方法、GaAs半導体装置の製造方法およびGaAs層上に半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】 GaAs層の表面を水素含有ガスのプラズマに晒し、次いでフォスフィンガスのプラズマに晒すプラズマ処理を行う。このように、GaAs層の表面を水素プラズマに晒すと、水素のラジカルによりGaAsの酸化物が除去される。次いでフォスフィン含有ガスのプラズマに晒すと、GaAs表面が燐(P)により保護される。また、燐原子の一部はAsサイトに入りGaAs表面がGaPになり、GaAs表面がGaAsより酸化されにくいGaPにより表面が保護される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造に使用されるGaAs層の表面安定化方法において、前記GaAs層の表面を水素含有ガスのプラズマに晒し、次いでフォスフィン含有ガスのプラズマに晒すプラズマ処理を行うことを特徴とするGaAs層の表面安定化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/18

FI (2件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/18