特許

J-GLOBAL ID：200903065209389894

不揮発性半導体メモリ装置およびその読み出し/書き込み方法

発明者： 西原 利幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256662
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125041
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの占有面積を増大させることなく、共通電位供給配線を各メモリセルから分離させ、チャネルからのFNトンネリングによるエレクトロンの注入を可能にする不揮発性半導体メモリ装置およびその読み出し/書き込み方法を提供すること。【構成】 コントロールゲートとチャネルとの間に電荷を蓄積する作用を持つメモリセルトランジスタ24,25と、複数のメモリセルトランジスタ24,25に共通電位を供給する共通電位供給配線26と、メモリセルトランジスタ24,25と共通電位供給配線26との間に配置された分離用トランジスタ27,28とを有し、分離用トランジスタ27,28のゲート電極30,32が共通電位供給配線26に電気的に接続してある。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートとチャネルとの間に電荷を蓄積する作用を持つメモリセルトランジスタと、複数のメモリセルトランジスタに共通電位を供給する共通電位供給配線と、前記メモリセルトランジスタと前記共通電位供給配線との間に配置された分離用トランジスタとを有し、前記分離用トランジスタのゲート電極が前記共通電位供給配線に電気的に接続してある不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 B ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 433