特許

J-GLOBAL ID：200903065210452443

半導体増幅器

発明者： 五十嵐 一文
出願人/特許権者： 日本無線株式会社
代理人 (1件)： 高橋 友二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170486
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340220
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 高周波電力増幅器の高調波歪みを補償する低消費電力で回路規模の小さい回路を得る。【構成】 増幅用FETと負荷用FETの組み合わせで入力電力を上昇させるに従って利得が高くなり位相が遅れる部分を有する半導体増幅器を構成し、高周波電力増幅器の前段増幅器とする。

請求項（抜粋）：

ソースを接地した増幅用FETと、そのドレインは電源に接続されそのソースは抵抗を介し上記増幅用FETのドレインに接続された上記増幅用FETに対する負荷となる負荷用FETと、上記負荷用FETのゲートを上記増幅用FETのドレインに接続する手段と、入力信号を上記増幅用FETのゲートに接続する手段と、出力信号を上記負荷用FETのソースから取り出す手段と、上記増幅用FETのゲートを電圧を調整できるバイアス電源に抵抗を介して接続する手段とを備え、上記バイアス電源の電圧を調整して上記出力信号が入力される後段の増幅器の振幅歪み,位相歪みを補償する半導体増幅器。