特許

J-GLOBAL ID：200903065211687428

液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 阿武 恒一 ,  河内 玄士朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265933
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、陽極酸化により形成された絶縁膜の特性にすぐれ、塩素系ガスによるリアクティブイオンエッチングにおいてAlよりも充分にエッチング速度が遅いTa膜またはNb膜を得ることを目的とする。【構成】配線及び電極が、窒素を15以上40原子%以下含んだTaN合金またはNbN合金を下層に、AlもしくはAl合金を上層に用いた2層膜で作成され、配線端子部は上層のみが選択的に除去され、下層の窒素含有量のTaN合金膜またはNbN合金のみからなる液晶表示装置とその製造方法。【効果】工程数を増やさずに信頼性の高い高画質の液晶表示装置を製造できる。

請求項（抜粋）：

複数の走査電極配線と画像信号電極配線と薄膜トランジスタと画素電極を備えたアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置において、走査電極配線または画像信号電極配線を、窒素を15原子%以上40原子%以下含んだTaN合金もしくはNbN合金を下層とし、AlもしくはAlを主成分とする合金を上層とする積層膜で形成することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 S