特許
J-GLOBAL ID:200903065213302337

ArF用化学増幅系ネガ型レジスト

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-282191
公開番号(公開出願番号):特開平11-119433
出願日: 1997年10月15日
公開日(公表日): 1999年04月30日
要約:
【要約】【課題】 光近接効果に起因する孤立ラインと密集パターンのレジスト寸法差を低減させる。【解決手段】 少なくとも脂環式メタクリレート樹脂と、光酸発生剤と、溶剤とからなるArF用化学増幅系ネガ型レジストであって、メラミン系架橋剤を含んでいる。このネガ型レジストを用いることにより、下地基板からの反射光によるレジスト形状の劣化が抑えられ、ウェハー201上には矩形のレジストパターン202が得られる。
請求項(抜粋):
少なくとも脂環式メタクリレート樹脂と、光酸発生剤と、溶剤とから成るArF用化学増幅系ネガ型レジストであって、架橋剤を含有し、架橋剤は、メラミン系架橋剤であることを特徴とするArF用化学増幅系ネガ型レジスト。
IPC (2件):
G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (8件)
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