薄膜磁性体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309971
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203474
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】トンネル磁気抵抗素子の製造ばらつきに左右されず、データ読出マージンを確保できる薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。【解決手段】定電流供給回路70は、制御電圧Vctrに応じた一定電流I(Read)を生成する。メモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子をデータ読出時に通過するデータ読出電流は、一定電流I(Read)に応じて設定される。定電流供給回路70は、外部入力に応じて調整可能な基準電圧Vrsを生成する電圧調整回路100と、基準電圧Vrsに応じて一定電流I(Read)を生成する電流源104と、通常動作時に基準電圧Vrsを制御電圧Vctnとして電流源104へ伝達するための電圧切換回路103とを含む。

請求項（抜粋）：

各々がデータ記憶を実行する複数のメモリセルと、各々が前記複数のメモリセルの所定区分ごとに配置される複数のデータ線とを備え、各前記メモリセルは、記憶データのレベルに応じた方向に磁化されて、磁化方向に応じて異なる電気抵抗を有する磁気記憶部と、前記複数のデータ線のうちの対応する1本および第1の電圧の間に前記磁気記憶部と直列に電気的に結合されて、少なくともデータ読出対象に選択された選択メモリセルにおいてターンオンされるアクセス素子とを含み、前記複数のデータ線のうちの前記選択メモリセルに対応するデータ線を内部ノードと電気的に結合するための選択ゲートと、前記選択メモリセルの前記記憶データを読出すためのデータ読出回路とをさらに備え、前記データ読出回路は、第2の電圧と前記内部ノードとの間に電気的に結合されて、外部入力に応じて不揮発的に調整可能な制御電圧に応じた一定電流を前記内部ノードへ供給するための定電流回路と、前記内部ノードの電圧に応じて読出データを生成する電圧増幅回路とを含む、薄膜磁性体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 150 , G11C 11/15 180 , G11C 11/15 195 , G11C 29/00 675

FI (4件)：

G11C 11/15 150 , G11C 11/15 180 , G11C 11/15 195 , G11C 29/00 675 B

Fターム (4件)：

5L106AA09 , 5L106DD12 , 5L106DD35 , 5L106GG05

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第6185130号
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207468 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
特開昭60-167198

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