特許
J-GLOBAL ID：200903065217061890
磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189366
公開番号（公開出願番号）：特開平9-128719
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】小さな電流密度で安定に動作すると共により高い感度を示す磁性体デバイスと同磁性体デバイスを用いた磁気センサを提供する。【解決手段】磁気センサは、エミッタ部10、ベース部20及びコレクタ部30からなる3端子の磁性体デバイスを有する。コレクタ部30となる半導体層31と、ベース部20となる磁性積層膜23とでショットキー接合が形成される。磁性積層膜23は非磁性体膜22を挟んで対向する2つの磁性体膜21a、21bを有する。金属膜12からなるエミッタ部10とベース部20とは、トンネル絶縁膜11を介して接続される。外部磁界により磁性体膜21a、21bの磁化方向の相対関係が変化することにより磁性体デバイスを流れる電流値が変化する。この電流値の変化に基づいて外部磁場が検知される。
請求項（抜粋）：
第1及び第2磁性体膜と、前記第1及び第2磁性体膜間に介在する非磁性体膜と、を含む積層膜と、前記積層膜の一方の面にショットキー接合を介して接続された半導体層を含む電子収集部と、前記積層膜の他方の面にトンネル接合部を介して接続された金属膜を含む電子注入部と、を具備することを特徴とする磁性体デバイス。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 29/872
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
, H01L 29/48 Z
