特許
J-GLOBAL ID：200903065219638124
複合型薄膜磁気ヘツド
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316451
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151534
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 飽和磁束密度の異なる2つの磁性層からなる磁気コアを有する誘導型ヘッドの磁気ギャップ内に磁気抵抗効果(MR)素子を作製することにより、記録特性と再生特性が両立する複合型薄膜磁気ヘッドを実現する。【構成】 下部磁性層および上部磁性層の少なくとも磁気ギャップ近傍が飽和磁束密度の異なる2つの磁性層21,22及び31,32を積層した構造であり、前記磁気コア内側部分22,32の飽和磁束密度は前記磁気コア外側部分21,31の飽和磁束密度よりも低い材料で形成された誘導型ヘッドの磁気ギャップ内にMR素子14を配置した。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された下部磁性層および上部磁性層よりなる磁気コア、及び前記磁気コアと鎖交し絶縁層により前記磁気コアと絶縁された電気導体コイルとを備えた誘導型薄膜磁気ヘッドと、前記磁気コアの磁気ギャップ内に形成された磁気抵抗効果素子とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性層および上部磁性層の少なくとも磁気ギャップ近傍が飽和磁束密度の異なる2つの磁性層を積層した構造であり、前記磁気コア内側部分の飽和磁束密度は前記磁気コア外側部分の飽和磁束密度よりも低いものであることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
前のページに戻る
