特許

J-GLOBAL ID：200903065222526574

光電変換素子、それを用いた光電池およびその製造方法

発明者： 渡辺 哲也
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235286
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050779
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 高い開放電圧を示す光電変換特性に優れた光電変換素子提供する。【解決手段】 色素と、負電荷またはプロトンを解離することで負電荷を帯び得る基を有する化合物とが吸着した半導体を有することを特徴とする光電変換素子である。好ましくは、前記負電荷またはプロトンを解離することで負電荷を帯び得る基を有する化合物が、下記一般式(1)で表される化合物である前記光電変換素子である。下記一般式(1)中、Aはカルボニル基、ホスホニル基、スルフォニル基、シリル基またはボランを表し、nは1〜3のいずれかの整数を表し、Y1は2価基を表し、Bはカルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、りん酸基、珪酸基、ホウ酸基、水酸基またはそれぞれのプロトン解離体を表す。Y2はアルコキシ基、アリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子または水素原子を表し、Y2は半導体に吸着する際にその一部または全部が脱離する。【化1】

請求項（抜粋）：

色素と、負電荷またはプロトンを解離することで負電荷を帯び得る基を有する化合物とが吸着した半導体を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032CC17 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20