特許
J-GLOBAL ID：200903065223935389
金属配線及びこれを用いた容量構造およびそれらの製造 方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005681
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211862
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 強誘電体メモリにおいて、メモリの高集積化に伴うメモリセル面積の縮小による、強誘電体容量の金属電極配線層の高抵抗化を避けるために金属配線を厚膜化した場合に、大きな段差が生じるのを防ぎ、信頼性の高い強誘電体容量を提供する。【構成】 半導体基板上に形成された表面の平坦な層間絶縁膜6に金属下地電極配線2が埋め込まれ、かつ金属下地配線層の上面が現れている構造の上部に薄い金属膜3及び強誘電体膜4及び上部金属配線5が形成されている強誘電体容量構造。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜に形成された溝部に埋め込まれた金属と、この金属上に形成された薄い貴金属膜と、この貴金属膜上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された金属とによって構成されることを特徴とする強誘電体容量構造。
IPC (2件)：
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