特許

J-GLOBAL ID：200903065224935447

シリコン薄膜の製造方法

発明者： ラメシュ カカード
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115205
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297985
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】多結晶シリコンTFTの製造プロセス中でレーザーアニールによる結晶化における電流と垂直方向の粒界の生成を回避する。【解決手段】基板上にバリア層を堆積し、その上に熱伝導度の異なる層1及び層2を堆積し、更にその上に所定の厚さのシリコン層を蒸着する。層2の厚さを位置により異なるものとして、シリコンをレーザーアニールする。結晶固化する速度は層2の厚さに依存して熱移動の速い方から順次横方向進行するため位置1と位置2の間のキャリヤ移動を阻害する垂直方向の粒界は生成しない。

請求項（抜粋）：

シリコン薄膜を製造する方法において、(a)所定の基板に層1を堆積させ、(b)該層1上に、層2を該層2の熱伝導度が該層1の熱伝導度より低く、該層2の厚さがその位置によって変わるように堆積させ、(c)該層2の上面に所定の厚さのシリコン層を堆積させ、さらに(d)前記シリコン層の上面をレーザー光線に露光して、前記シリコン層における横方向の結晶成長が、該層2の薄い部分上にあるシリコンから該層2の厚い部分上にあるシリコンに進行する工程からなるシリコン薄膜の製造方法(図1参照)。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (14件)：

5F052AA02 ,  5F052DA02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA04 ,  5F052JA01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG11 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11