特許
J-GLOBAL ID：200903065226143130
誘電体磁器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232788
公開番号（公開出願番号）：特開平6-056502
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：
【要約】【目的】 比誘電率が位置の関数として変化する傾斜機能材料を用いた誘電体磁器において、比誘電率の傾斜構造の変化が小さい誘電体磁器を提供する。【構成】 比誘電率が位置の関数として連続的あるいは段階的に変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器である。この誘電体磁器は、Mg,Ca,Sr,Ba,Pb,Bi,Y,La,Ce,Nd,Sm,Gd,Er,Ti,Zr,Sn,Si,MnおよびZnの中から選ばれる少なくとも2種類以上の元素と酸素とから構成され、比誘電率εが10≦ε≦90の範囲で変化する傾斜機能構造を有する。そして、この誘電体磁器は、どの位置においても、比誘電率εの温度変化率τ(ppm/°C)が、-30≦τ≦30の範囲にある。
請求項（抜粋）：
比誘電率が位置の関数として連続的あるいは段階的に変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器において、Mg,Ca,Sr,Ba,Pb,Bi,Y,La,Ce,Nd,Sm,Gd,Er,Ti,Zr,Sn,Si,MnおよびZnの中から選ばれる少なくとも2種類以上の元素と酸素とから構成され、比誘電率εが10≦ε≦90の範囲で変化する傾斜機能構造を有し、どの位置においても、比誘電率εの温度変化率τ(ppm/°C)が、-30≦τ≦30の範囲にあることを特徴とする、誘電体磁器。
IPC (2件)：
C04B 35/00
, H01B 3/12 333
