特許

J-GLOBAL ID：200903065226717757

絶縁被膜および半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  深田 武 ,  坂間 光範 ,  上原 由起子 ,  上原 弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045256
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302591
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 ゲイト絶縁膜としての使用に耐える信頼性のよい酸化珪素膜を低温で得る方法を提供する。【構成】 エトキシ基を有する有機シラン(例えば、TEOS)と酸素を原料としてプラズマCVD法によって、島状の非単結晶シリコン領域を覆って酸化珪素膜を形成する際に、塩化水素や塩素を有する炭化水素(例えば、トリクロロエチレン)または弗素含有ガスを、好ましくは雰囲気の0.01〜1mol%混入させることによって、得られる酸化珪素膜からアルカリ元素を減らし、よって信頼性を高める。また、酸化珪素膜を形成する前に、酸素と塩化水素や塩素を有する炭化水素とのプラズマによってシリコン領域を処理する。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とする島状の非単結晶半導体領域を覆って、該領域上に密着して設けられ、2次イオン質量分析法で1×1017〜5×1020cmの濃度のハロゲン元素が検出されることと、5×1019cm-3以下の濃度の炭素が検出されることを特徴とした酸化珪素を主成分とする絶縁被膜。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/784