半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317852
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176621
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】エピタキシャル成長時に生ずる硼素の外方拡散やオートドープによる影響を抑えて、同一基板上にp形及びn形の埋込み層の基板表面からの深さを最適化した高速npn/pnpトランジスタを備えた半導体装置を得る。【構成】 p形埋込み層4の表面を選択酸化し、酸化膜中に硼素を偏析させて埋込み層表面の不純物濃度を低減し、エピタキシャル成長時の不純物の外方拡散やオートドープの影響を抑える。更に、npnトランジスタのn形埋込み層3の上部エピタキシャル層に、イオン打ち込みによるn形不純物層5を形成する。その後に2回目のエピタキシャル層7を形成することで、オートドーピングの影響の無い所望の濃度と厚さのエピタキシャル層構造とすることができる。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、p形とn形の2種類の導電形の埋込み層を有する半導体装置において、基板表面からの深さが等しいp形埋込み層及びn形埋込み層を少なくとも有し、かつ、p形埋込み層及びn形埋込み層のピーク不純物濃度が等しいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8228 , H01L 27/082 , H01L 21/8249 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/08 101 C , H01L 27/06 321 B

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-188867
特開平2-112270
特開平2-003963

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