特許

J-GLOBAL ID：200903065236628612

積層セラミック電子部品の製造方法

発明者： 佐藤 恒
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-089974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311990
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】 本発明は、工程を大幅に短縮できるとともに、反対極の内部電極の短絡を防ぎつつ、同一極の内部電極とビアホール導体の電気的接続が良好な積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、セラミックグリーンシート2と、内部電極パターン3、4とが交互に積層してなる大型積層体11に、セラミックグリーンシート2と内部電極パターン3、4との双方を貫通する貫通孔15、16を形成後、大型積層体11を焼成する積層セラミック電子部品の製造方法であって、大型積層体11は、セラミックグリーンシート2上に内部電極パターン3、4を形成し、別のセラミックグリーンシート2を形成することを繰り返して作製される。貫通孔15、16は、大型積層体11上の所定位置に、波長が400nm以下のレーザ光を照射することにより、形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バインダ樹脂を含むセラミックグリーンシートと、内部電極パターンとが交互に積層してなる大型積層体に、前記セラミックグリーンシートと内部電極パターンとの双方を貫通する貫通孔を形成後、前記大型積層体を焼成する積層セラミック電子部品の製造方法であって、 前記大型積層体は、セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成し、該内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシート上に別のセラミックグリーンシートを形成することを順次繰り返すことにより作製されるとともに、 前記貫通孔は、前記大型積層体の所定位置に、波長が400nm以下のレーザ光を照射することにより形成されることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。

IPC (2件)：

H01G4/12 ,  H01G4/30

FI (3件)：

H01G4/12 364 ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/30 311F

Fターム (29件)：

5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AC10 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AZ01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ15 ,  5E082LL01 ,  5E082MM05 ,  5E082MM06 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置及び基板処理装置における基板回収方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060955   出願人：東京エレクトロン株式会社