特許

J-GLOBAL ID：200903065239275435

被処理体の処理方法

発明者： 松村 公治
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-278816
出願日： 1986年09月27日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】各半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面全面に、均一な膜厚でCVD膜を形成することのできる被処理体の処理方法を提供する。【構成】半導体ウエハ12を載置台13上に載置し、この後、ガス流出部17の拡散板17bと半導体ウエハ12表面との間隔を例えば 0.5〜20mm程度の所定の間隔に設定して、ガス流出部17の拡散板17bから半導体ウエハ12表面へ向けて所定のガスが流出させる。この時、載置台13は、温度制御装置14およびヒ-タ15により加熱され、ガス流出部17は、冷却装置18から配管18a内を循環される冷却水により冷却されている。

請求項（抜粋）：

気密な処理室内に設けられ被処理体の温度制御が可能な載置台に被処理体を載置する第一の工程と、前記処理室内を排気して所定の圧力に設定する第二の工程と、所定の温度に設定された前記被処理体に対して、ガス供給源から前記被処理体に対向配置されたガス流出部の間に設けられた冷却手段により冷却されたオゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスとを、前記被処理体の被処理面に前記ガス流出部から略垂直に供給し、前記被処理面にCVD膜を形成する第三の工程とを具備したことを特徴とする被処理体の処理方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-131969
  
• 特開昭59-076870
  
• 特開昭61-110767