特許

J-GLOBAL ID：200903065239390358

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 水原 洋治 ,  碇 敦 ,  石坂 和紀 ,  出合 博之
出願人/特許権者： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109964
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 チョクラルスキー法で製造した窒素添加シリコンウエーハを熱処理する際に、シリコンウエーハ中のスリップ転位の発生を防止する方法を提供する【解決手段】 チョクラルスキー法によって製造した窒素含有量が1013〜2×1016atoms/cm3であるシリコンウエーハについて、最高温度として1000〜1200°Cの温度で熱処理する方法であって、その窒素含有量に応じて各温度領域における昇温速度および降温速度を特定値にすることによるシリコンウエーハの製造方法および該方法で製造され得るシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって製造した窒素含有量が1013atoms/cm3以上1014atoms/cm3未満であるシリコンウエーハについて、最高温度として1000°C以上1200°C以下の温度で熱処理する方法であって、その時の昇温速度として室温から1000°Cまでを15°C/min以下、1000から1100°Cまでを6°C/min以下、1100から1200°Cまでを1°C/min以下とし、降温速度として1200から1100°Cまでを1°C/min以下、1100から1000°Cまでを6°C/min以下、1000°Cから室温までを15°C/min以下とする条件で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/324 X ,  H01L 21/322 Y