半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310682
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の配線を切断する際、上層の配線の切断部の下方の層に位置する素子や配線等に損傷あるいは機能障害を与えることなく、所望の配線の切断を行う。半導体チップを大型化することなく集積度を高める。【構成】半導体装置において、選択的に切り替えられる配線の切断部を最上層の配線で形成し、その切断部の下方に切断防止層を設ける。この半導体装置において、切断防止層の下方に素子を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された所定の配線が切断されたり新たに配線が追加されることでその内部形態が選択的に切り替えられる半導体集積回路装置において、前記選択的に切り替えられる配線の切断部を最上層の配線で形成し、その切断部の下部に切断防止層を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/82 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 U , H01L 21/82 R

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