特許

J-GLOBAL ID：200903065248913037

銅・ポリイミド積層構造体の製造方法

発明者： 田中 浩樹 ,  青山 正義 ,  山口 健司 ,  仲田 義弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-066232
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251511
出願日： 1991年03月29日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】極めて高い界面接着強度を有する銅・ポリイミド積層構造体を提供すること。【構成】ポリイミドの表面にドライエッチングを施して粗化面(微細凹凸)を形成した後、当該粗化面に放電プラズマ処理を施すことによって、銅との結合作用が強い官能基をポリイミド表面に生成させ、その後、当該表面に銅を蒸着して銅薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ポリイミドの表面にドライエッチングを施して粗化面(微細な凹凸)を形成する工程と、当該粗化面に放電プラズマ処理を施して銅との結合作用が強い官能基を生成させる工程と、官能基を生成させたポリイミドの表面に銅を蒸着して銅薄膜を形成する工程とを記載の順序に行なうことを特徴とする銅・ポリイミド積層構造体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  C23C 14/20 ,  C23F 4/00 ,  H05K 3/14 ,  H05K 3/46