特許

J-GLOBAL ID：200903065251703973

強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法

発明者： 小木 勝実 ,  曽山 信幸 ,  三枝 明彦
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057242
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116095
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 結晶面が(111)軸方向に配向した白金基板上にチタン酸ジルコン酸鉛またはランタン含有チタン酸ジルコン酸鉛の前駆体溶液を塗布し、加熱して強誘電体薄膜を形成する方法において、該前駆体溶液を基板上に塗布した後、まず所望の結晶配向をもたらす150〜550°Cの温度範囲で熱処理を行い、その後550〜800°Cで焼成して結晶化させることにより、薄膜の結晶面を熱処理温度に従った特定軸方向に優先的に配向させることを特徴とする強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法。【効果】 結晶化前の熱処理温度の調整によりカイト型の優先的な配向面の異なるPZT薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

結晶面が(111)軸方向に配向した白金基板上にチタン酸ジルコン酸鉛またはランタン含有チタン酸ジルコン酸鉛の前駆体溶液を塗布し、加熱して強誘電体薄膜を形成する方法において、該前駆体溶液を基板上に塗布した後、まず所望の結晶配向をもたらす150〜550°Cの温度範囲で熱処理を行い、その後550〜800°Cで焼成して結晶化させることにより、薄膜の結晶面を熱処理温度に従った特定軸方向に優先的に配向させることを特徴とする強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法。

IPC (5件)：

C30B 29/32 ,  B01J 19/00 ,  C04B 35/49 ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-006335
  
• 特開平3-069512
  
• 特開昭63-239880
  
• 特開昭57-082121