特許

J-GLOBAL ID：200903065253516569

半導体製造・検査装置用セラミック基板および静電チャック

発明者： 伊藤 康隆
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367541
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170870
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエハ等の被処理物上にパーティクルが付着せず、また、その内部に形成された導体回路間で短絡が発生することがない半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。【解決手段】 その内部に導体2,3,5が形成されたセラミック基板1であって、導体およびその近傍を含むセラミック層、および、導体より下のセラミック層は、破壊時に粒界破壊の性状を呈し、その他のセラミック層は、破壊時に粒子内破壊の性状を呈することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

請求項（抜粋）：

その内部に導体が形成されたセラミック基板であって、前記導体およびその近傍を含むセラミック層、および、前記導体より下のセラミック層は、破壊時に粒界破壊の性状を呈し、その他のセラミック層は、破壊時に粒子内破壊の性状を呈することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  C04B 35/581 ,  H02N 13/00 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/18 ,  H05B 3/20 328

FI (7件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/68 N ,  H02N 13/00 D ,  H05B 3/10 C ,  H05B 3/18 ,  H05B 3/20 328 ,  C04B 35/58 104 Y

Fターム (48件)：

3K034AA02 ,  3K034AA04 ,  3K034AA15 ,  3K034AA16 ,  3K034AA34 ,  3K034BA06 ,  3K034BB06 ,  3K034BC03 ,  3K034BC16 ,  3K034BC17 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA02 ,  3K034JA10 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB03 ,  3K092QB30 ,  3K092QB31 ,  3K092QB70 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF26 ,  3K092RF27 ,  3K092VV40 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC13 ,  4G001BC31 ,  4G001BC32 ,  4G001BC35 ,  4G001BC42 ,  4G001BC54 ,  4G001BC73 ,  4G001BD38 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031JA01 ,  5F031JA46 ,  5F031PA26