特許
J-GLOBAL ID：200903065259624550
気相結晶成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104185
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスを下方から供給し、上方から排出する方式のチムニー型気相結晶成長装置に於いて、異物粒子の発生を抑制すること。【構成】 原料ガスを断続的に反応管に送入しながらエピタキシャル成長を行う結晶成長装置に於いて、基板を下方に向けて保持するサセプタの、基板保持面以外の表面を、石英ガラスのような熱伝導率の小さい材料で被覆する。従来、結晶成長に関与しなかった原料物質がサセプタからの熱で分解し、反応管内壁に析出していたが、サセプタからの熱の供給が抑制されるので、この経緯で発生していた異物粒子が大幅に減少する。
請求項（抜粋）：
原料ガスを断続的に反応室に送入しながらエピタキシャル結晶成長を行う結晶成長装置に於いて、該反応室内の原料ガスの流れは下部から上部に向かうものであり、結晶成長基板はサセプタによって成長面を下方に向けて保持され、該サセプタの側面が、該サセプタ構成物質より熱伝導度が小である物質で被覆されていることを特徴とする気相結晶成長装置。
IPC (2件)：
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