特許

J-GLOBAL ID：200903065264547610

半田バンプの形成方法

発明者： 酒見 省二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170086
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030014
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 半田バンプ不良を抑制する。【構成】 電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップからなる。

請求項（抜粋）：

電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/34 505

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-296728
  
• 特開平3-241756