特許
J-GLOBAL ID:200903065264657695

外観検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 国則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-034405
公開番号(公開出願番号):特開平5-203583
出願日: 1992年01月23日
公開日(公表日): 1993年08月10日
要約:
【要約】【目的】 短時間で被測定物の表面の穴を識別し、計測できる外観検査方法を提供する。【構成】 半導体装置1のパッケージ表面11に斜めから光31を照射し、穴2からの反射光とそれ以外のパッケージ表面11からの反射光とのどちらか一方の光度をCCDカメラ4の感度範囲を越える状態に設定し、穴2からの反射光とそれ以外のパッケージ表面11からの反射光とをそれぞれCCDカメラ4で読み取ることで、2値化された読み取り画像を得る。この読み取り画像基づいて穴2の形状を計測する。
請求項(抜粋):
被測定物の表面に光を照射して、前記表面からの反射光を光学読み取り装置で読み取り、前記光学読み取り装置から得られた読み取り画像に基づいて、前記表面にある穴の形状を計測する外観検査方法において、前記被測定物の表面に斜めから光を照射することで、前記穴からの反射光とそれ以外の表面からの反射光とのどちらか一方の光度を前記光学読み取り装置の感度範囲を越える状態に設定し、前記設定にて、前記穴からの反射光とそれ以外の表面からの反射光とをそれぞれ前記光学読み取り装置で読み取ることにより、2値化された読み取り画像を得ることを特徴とする外観検査方法。
IPC (2件):
G01N 21/88 ,  H01L 21/66

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