特許

J-GLOBAL ID：200903065264680000

半導体レーザー装置およびその製造方法

発明者： 天野 彰 ,  進藤 洋一 ,  中田 勝栄 ,  梅垣 卓
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264951
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110205
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 低価格で形状の自由なモールドタイプの半導体レーザー装置において、端面破壊防止層と封止樹脂層との界面に発生する剥離などの不具合を防止し、光学特性に優れ、製品不良の少ない装置を実現する。【構成】 レーザー光を透過し発光端面を破壊から防止する端面破壊防止層を熱膨張率3.1×10-4±30%、JIS-A硬度22±30%、Al基板上のせん断接着力2〜4kg/cm2 の物性値を有する樹脂により形成する。

請求項（抜粋）：

レーザー光を照射する少なくとも1つの発光端面を有するレーザーダイオード素子が、少なくともそのレーザー光を透過し前記発光端面を破壊から防止すべき端面破壊防止層を介し、前記レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層を以て封止された半導体レーザー装置において、前記端面破壊防止層が熱膨張率3.1×10-4/°C±30%、JIS-A硬度22±30%、Al基板上のせん断接着力2〜4kg/cm2 の物性値を有する樹脂により形成されていることを特徴とする半導体レーザー装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/025