特許
J-GLOBAL ID：200903065265843085
マルチミラーアレイの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103355
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287108
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 マルチストライプアレイ半導体レーザから出射される発散角が大きい多数のビームを容易に1つのスポットに絞り込み可能なマルチミラーアレイの製造方法を提供する。【構成】 基板上にこのマルチミラーアレイをなす材料を堆積させ、所定の角度だけ傾く方向から異方性エッチングして所望の形状の孔を形成し、その内面にミラーコーティングを施すようにすることにより、通常の半導体プロセスと同様なプロセスでマルチミラーアレイを製造することができ、プロセス管理が容易になる。また、各要素を同時に成形することから1つ1つの要素の均一性も確保されるため、半導体レーザの活性層ストライプを一次元的に配列したマルチストライプアレイ半導体レーザ光の形状を変換して複数ビームを高効率に一つのスポット状に絞り込めるマルチミラーアレイを高精度に製造できる。
請求項（抜粋）：
交線が互いに平行であり、かつ各反射面に直交する面についての断面が正三角形をなす3つの反射面のいずれかに前記各面に対して所定の角度をもって偏平な透過光を入射してその形状を変換するマルチミラーを前記透過光の入射方向に直交する方向に複数重ね合わせて合成した形状の孔を有し、その内面が前記反射面をなすようにミラーコーティングされたマルチミラーアレイを製造するための方法であって、基板上に前記マルチミラーアレイを形成する材料を前記透過光の変換に必要な距離分だけ堆積させる過程と、前記材料を前記所定の角度だけ傾く方向から斜めに異方性エッチングして前記形状の孔を形成する過程とを有することを特徴とするマルチミラーアレイの製造方法。
IPC (3件)：
G02B 5/00
, G02B 27/09
, H01S 3/18
