有機半導体層およびその改善

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：葛和清司 , 稲宮真衣子 , 望月史郎 , 井上洋一 , 三橋規樹 , 丸山芳子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-540612
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519227
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

有機半導体層処方であって、3.3以下の1,000Hzでの誘電率εを有する有機結合剤および式A:式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、およびR12のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、独立して、水素;任意に置換されたC1〜C40のカルビルまたはヒドロカルビル基;任意に置換されたC1〜C40のアルコキシ基;任意に置換されたC6〜C40のアリールオキシ基;任意に置換されたC7〜C40のアルキルアリールオキシ基;任意に置換されたC2〜C40のアルコキシカルボニル基;任意に置換されたC7〜C40のアリールオキシカルボニル基;シアノ基(-CN);カルバモイル基 (-C(=O)NH2);ハロホルミル基(-C(=O)-X、式中、Xは、ハロゲン原子を示す。);ホルミル基(-C(=O)-H);イソシアノ基;イソシアネート基;チオシアネート基またはチオイソシアネート基;任意に置換されたアミノ基;ヒドロキシ基;ニトロ基;CF3基;ハロ基(Cl、Br、F);任意に置換されたシリル基であり、;および式中、R2およびR3および/またはR8およびR9は、C4〜C40の飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子、式-N(Ra)-(式中、Raは、水素原子または任意に置換された炭化水素基)で示される基が介在していてもよく、または任意に置換されていてもよい、;および式中、ポリアセン骨格の1または2以上の炭素原子は、N、P、As、O、S、SeおよびTeから選択されるヘテロ原子によって任意に置換されていてもよい;および式中、独立して、ポリアセンの隣接する環の位置に存在するいずれの2または3以上の置換基R1〜R12は、ともに、ポリアセンに融合した、任意にO、Sまたは-N(Ra)(Raは、上記定義のとおりである)が割り込まれたさらにC4〜C40の飽和または不飽和の環または芳香族環系を構成してもよい、;および式中、nは、0、1、2、3または4である、のポリアセン化合物を含む、前記処方。

請求項（抜粋）：

有機半導体層処方であって、1,000Hzで3.3以下の誘電率εを有する有機結合剤および式A:

IPC (8件)：

H01L 51/30 , C08L 101/00 , C08K 5/54 , C08K 5/56 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C07F 7/08 , C07F 7/12

FI (8件)：

H01L29/28 250H , C08L101/00 , C08K5/54 , C08K5/56 , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , C07F7/08 C , C07F7/12 D

Fターム (15件)：

4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ08 , 4H049VQ10 , 4H049VR24 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 4J002BC011 , 4J002BC081 , 4J002BC091 , 4J002BF011 , 4J002EX016 , 4J002EZ006 , 4J002FD206 , 4J002GQ05

引用文献：

審査官引用 (4件)

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