特許

J-GLOBAL ID：200903065267204535

半導体装置の製造方法

発明者： 熊沢 俊春
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001487
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204164
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】トランジスタの電極2層構造において第2層電極のステップカバレッジを向上させる。【構成】ベークでフォトレジスト4をなめらかな形状にし、続いて層間絶縁膜2を異方性エッチングすることによりテーパ角がなめらかな形状になり、第2層電極3の膜厚のステップカバレッジを約50%向上し、膜厚が薄くなることによる断線不良を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

第1層電極を形成する工程と、前記第1層電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜に開口を形成する工程と、開口の形成されたフォトレジスト膜を高い温度でベークし、フォトレジストの開口部端の形状をなめらかにする工程と、前記フォトレジストをマスクにしてRIEで層間絶縁膜を垂直方向に異方性エッチングし層間絶縁膜にフォトレジストと同形状のテーパー角がなめらかなスルーホールを形成する工程と、フォトレジストを除去した後第2層電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-002029
  
• 特開昭60-227443
  
• 特開昭62-024628
  
• 特開平4-348516