特許

J-GLOBAL ID：200903065268126228

半導体装置の素子分離膜及びその製造方法

発明者： 山内 美知子 ,  高橋 正志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047241
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246265
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 フィールド酸化膜をより薄くし、アクティブ領域A1の界面近辺の欠陥、素子のリーク電流の増加を抑え、素子領域を十分に確保するとともに、素子の段差を低減可能な半導体装置の素子分離膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上のアクティブ領域A1にシリコン酸化膜2、シリコン窒化膜3を残し、素子分離領域B1にシリコン基板1を露出させる。次に、F(フッ素)5をシリコン酸化膜2とシリコン窒化膜3をマスクとしてイオン注入し、シリコン基板1にF5を導入する。次に、選択的にシリコン基板1を熱酸化すると、F5を含むフィールド酸化膜が生成される。シリコン窒化膜3とシリコン酸化膜2を順次エッチングすることにより、F5を含むフィールド酸化膜12が形成され、素子分離が完成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の素子分離膜において、素子分離のためのシリコン酸化膜は、熱酸化によるシリコン酸化膜の比誘電率3.9よりも小さいシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置の素子分離膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/76 L