特許

J-GLOBAL ID：200903065268593462

多段エッチング型基板の製造方法

発明者： 竹居滋郎 ,  宮下裕之
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054420
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 段差近傍で生じるレジスト層のスロープによるパターン寸法の変動が起きず、露光量を変えて露光する必要もなく、従来法と比較して作製工程を大幅に変更することもない位相シフトマスク等の製造方法。【解決手段】 基板1上に初期遮光膜パターン2を形成すると共に、この遮光膜パターンから露出した基板1を第1の深さだけエッチングし、次に、初期遮光膜パターン上にネガ型レジスト3を塗布した後、遮光膜2上の所定部のネガ型レジスト3を露光4すると共に、基板側から全面露光4し、ネガ型レジストを現像してマスクとして、このマスクから露出した遮光膜2をエッチングし、さらにこのマスクから露出した基板1を第2の深さだけエッチング6し、同様の工程を所定回数繰り返すことにより、2段以上の深さに基板をエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板を複数回のエッチングにより多段に形成する多段エッチング型基板の製造方法において、基板上に初期遮光膜パターンを形成すると共に、この初期遮光膜パターンから露出した基板を第1の深さだけエッチングし、次に、初期遮光膜パターン上にネガ型レジストを塗布した後、遮光膜上の所定部のネガ型レジストを露光すると共に、基板側から全面露光し、ネガ型レジストを現像してマスクとして、このマスクから露出した遮光膜をエッチングし、さらにこのマスクから露出した基板を第2の深さだけエッチングし、同様の工程を所定回数繰り返すことにより、2段以上の深さに基板をエッチングすることを特徴とする多段エッチング型基板の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 P