特許

J-GLOBAL ID：200903065269208830

高耐圧MOSトランジスタ

発明者： 新藤 正夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-140166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008423
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 従来よりも素子面積が小さい、あるいは従来よりも耐圧値の高いオフセットゲート形高耐圧MOSトランジスタを提供する。【構成】 半導体基板11上に形成した溝部20の表面に、ドリフト領域14を設けることにより、従来のように半導体基板11の主面上にドリフト領域を設ける場合と比べて、同じ耐圧値なら素子面積の小さい、あるいは同じ素子面積なら耐圧値の高いオフセットゲート形高耐圧MOSトランジスタの提供が可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のゲート電極とドレイン電極の間に溝部を形成し、この溝部の表面にトランジスタのドリフト領域の一部または全部を設けた構成の高耐圧MOSトランジスタ。