ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027497
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198533
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】ガス組成の変更や処理チャンバ内への可動部材の導入等を行わずに、エッチング途中でラジカル生成量を制御し、下地選択性と異方性を改善する。【構成】有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置の処理チャンバ4の内壁面にアモルファス・シリコン(a-Si)カバー13を設け、外周側には複数の永久磁石14からなる交互多極磁場リングを配設する。このリングの内側ではマルチカスプ磁場が形成され、ECRプラズマPの壁面方向への拡散が抑制される。永久磁石14を位置Eに置けばECRプラズマPとa-Siカバー13との接触面積が減少するのでラジカル消費量が減り、位置Fに置けばラジカル消費量が増大する。ポリサイド膜中の多結晶Si層のエッチング時等にこの接触面積を大とすると有効である。永久磁石14に代えて補助コイル17を使用しても良い。

請求項（抜粋）：

処理チャンバの内壁面の軸方向の少なくとも一部がシリコン系材料層により被覆されてなり、かつこのシリコン系材料層の被覆部位に対峙するごとく該処理チャンバの外周部に補助磁場形成手段が配設されてなるECRプラズマ装置を使用し、前記補助磁場形成手段の操作によりECRプラズマと前記シリコン系材料層との接触面積を変化させながら被エッチング基板上のシリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

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