特許

J-GLOBAL ID：200903065270792049

圧電素子及びその加工方法

発明者： 長浦 善昭
出願人/特許権者： 長浦 善昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299299
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具及びその加工方法を提供する。【解決手段】 水晶板、又はシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板13(水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE加工などの、化学的なエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、62μmとする)を、除去した後、RIE加工などの、化学的なエッチング加工によって発生する数μmを、再度、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工手段によって研磨加工をする水晶板13などの圧電素材、又はシリコン、ガリウムヒ素などの、電子材料を加工することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水晶板を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板(例えば、水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE(Reactive Ion Etching)加工などの、化学的なエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、60μmとする)を、除去した後、RIE加工などの、化学的なエッチング加工によって発生する数μmの凸凹(例えば、RIE加工にて、60μm除去すると、約0.2μmから3μmの、ダメージ層、又は加工変質層、又は凸凹が発生する)を、再度、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はフロートポリシング機械、又はその他の研磨加工手段によって研磨加工をする、水晶板などの圧電素材、又はシリコン、ガリウムヒ素などの電子材料を加工することを特徴とする、圧電素子の加工方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  H01L 41/09 ,  H03H 3/02

FI (6件)：

H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 1/00 C ,  B24B 37/00 Z ,  H03H 3/02 B ,  H01L 41/08 C

Fターム (18件)：

3C049AA03 ,  3C049AA04 ,  3C049AA07 ,  3C049AA09 ,  3C049AA11 ,  3C049AA17 ,  3C049AB05 ,  3C049CA03 ,  3C049CA06 ,  3C058AA03 ,  3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA11 ,  3C058AB04 ,  3C058CA03 ,  3C058CA06 ,  5J108MM08