特許
J-GLOBAL ID:200903065272331197

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-161318
公開番号(公開出願番号):特開平5-013682
出願日: 1991年07月02日
公開日(公表日): 1993年01月22日
要約:
【要約】【目的】 高いインダクタンスをもつインダクタを小さな占有面積で製造する。【構成】 半導体基板1上に間隔を隔てて、複数の下部導電部21を形成し、これら下部導電部21のうち、隣接するものの間を斜めに横切った状態に上部導電部22を配置し、その両端部を隣接する下部導電部21にそれぞれ結合し、その上部導電部22の中途を半導体基板1よりも離してある。
請求項(抜粋):
半導体基板上に間隔を隔てて形成された複数の下部導電部と、これら下部導電部のうち隣接するものの間を斜めに横切った状態に配置され両端部が上記隣接するものにそれぞれ結合され中途が上記半導体基板よりも離れている上部導電部とを、具備する半導体装置。

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