特許

J-GLOBAL ID：200903065272908931

半導体レ-ザ装置、光ヘッド装置および半導体レ-ザ装置の製造方法

発明者： 小野村 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215502
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】フロントAPCを具備し安定動作を維持しながら、光の利用効率が高く、半導体レーザと受光素子のアライメント精度が容易に得られる、小型軽量で低価格な集積化半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】光情報処理システム用集積化半導体レーザ装置に関して、半導体レーザから照射されたレーザを、レーザの光出力を検知するための半導体受光素子の受光面に反射して、外部に取り出す。また、半導体レーザ、APC用受光素子、光記憶媒体等の所望の対物からの回折された信号光を受光するための複数からなる半導体受光素子等のすべての光素子を半導体プロセスの精度で集積する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された半導体レーザと、前記基板上に形成された半導体受光素子とを具備し、前記半導体レーザから照射されたレーザ光が前記半導体受光素子の受光面に入射され、このレーザ光の一部が前記半導体受光素子の受光面に反射されて外部に取り出されることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

G11B 7/135 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

G11B 7/135 Z ,  H01S 3/18 612

Fターム (12件)：

5D119AA39 ,  5D119AA43 ,  5D119CA10 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119FA25 ,  5D119KA31 ,  5F073BA06 ,  5F073FA04 ,  5F073FA06 ,  5F073FA13 ,  5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-253983
  
• 光ピックアップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-152457   出願人：日本ビクター株式会社