特許
J-GLOBAL ID：200903065273355189
半導体の検査方法及び検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099998
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148386
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】最も欠陥を生じそうな”リスクの高い”パーティクル汚染を発生させる処理工程を特定するための方法である。【解決方法】特定の処理工程の前後にウエハ11上のパーティクル12を測定し、特定の処理工程の間に堆積されたパーティクルのダイ位置を決定する。その後、ウエハの電気的な試験が行われ、ウエハ上のどの位置が欠陥の有る回路を含んでいるかを決定する(60)。そして特定の処理工程の間に堆積されたパーティクルの位置を、欠陥の有る回路の位置に相関させる(80)。その結果は、特定の処理工程の間に堆積されたパーティクルが製造工程の収率低下にどの程度寄与しているかを示す測定値になる。
請求項（抜粋）：
ウエハにパーティクルが堆積する可能性のある第1の特定処理工程を含む複数の工程からなり、半導体回路を有するウエハを製造する製造工程の歩留を低下させる原因を見いだす半導体の検査方法であって、上記第1の特定処理工程の前後でウエハ上のパーティクル堆積の数と位置を検出して、上記第1の特定処理工程の間に堆積したパーティクルの数と位置を決定するステップと、上記第1の特定処理工程の後に、上記ウエハの複数の位置の半導体回路を電気的に試験して、半導体回路に欠陥が有る上記ウエハの位置を識別するステップと、上記第1の特定処理工程の間に堆積したパーティクルの位置と、上記第1の特定処理工程の後に識別された半導体回路に欠陥が有る上記ウエハの位置との相関関係を求めるステップと、上記相関関係により、上記第1の特定処理工程の間に堆積したパーティクルが上記製造工程の歩留低下にどの程度寄与しているかを示す第1の測定値を決定するステップと、を有することを特徴とする半導体の検査方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01B 11/00
, G01N 21/88
, G01R 31/26
, H01L 21/304 341
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 J
, G01B 11/00 A
, G01N 21/88 E
, G01R 31/26 Z
, H01L 21/304 341 S
