特許
J-GLOBAL ID：200903065277046750
銅薄膜のドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204185
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 サイドエッチングやアフターコロージョンを発生させることなく、かつ、十分高いエッチング速度を持つ銅薄膜のエッチングを行う。【構成】 ウェファ1をステージ3に装着し、真空排気を行った後、ステージ3を加熱する。次にエッチングチャンバ2内に Cl2を母体とし、これにSiCl4 を数%加えたエッチングガスを、N2 ガスを放電のための媒体として供給し、圧力を制御してから高周波をステージ3と対向電極6との間に印加してプラズマを発生させ、ウェファ1の銅薄膜をエッチングする。
請求項（抜粋）：
銅薄膜をドライエッチングするに当たり、塩素ガス、四塩化炭素ガス又は三塩化硼素ガスを含むガスを母体とし、四塩化珪素ガスを含むエッチングガスを用い、窒素ガス又は不活性ガス雰囲気中でドライエッチングを行うことを特徴とする銅薄膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
