特許
J-GLOBAL ID：200903065279550854
半導体集積回路装置およびその検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118135
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334009
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 良品の半導体チップのみにはんだバンプを形成でき、半導体チップの検査におけるプローブ針の長寿命化を図ることのできる半導体集積回路装置およびその検査方法を提供する。【構成】 半導体チップ1のチップ電極6上に形成された電極下地7を、導電性を有しかつはんだ濡れ性のない第1薄膜層7aと、この第1薄膜層7aに積層され、導電性を有しかつはんだ濡れ性のある第2薄膜層7bとで形成し、第1薄膜層7aに第2薄膜層非形成領域7a1 を設ける。そして、はんだ層の形成前に、電極下地7の第1薄膜層7aに設けられた第2薄膜層非形成領域7a1 に対してプローブ針11を当てて半導体チップ1の電気的動作状況を検査する。
請求項（抜粋）：
半導体チップのチップ電極上に形成され、はんだバンプを設けるための電極下地が、導電性を有しかつはんだ濡れ性のない第1薄膜層と、前記第1薄膜層に積層され、導電性を有しかつはんだ濡れ性のある第2薄膜層とから形成され、前記第1薄膜層に第2薄膜層非形成領域が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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